Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPI12CN10N G
Infineon Technologies

IPI12CN10N G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IPI12CN10N G
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Πακέτο PG-TO262-3
Σε απόθεμα 6647 pcs
Φύλλο δεδομένων Part Number GuideCoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6647 κομμάτια του Infineon Technologies IPI12CN10N G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO262-3
Σειρά OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9mOhm @ 67A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 4320 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 65 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IPI12C

Συνιστώμενα προϊόντα

IPI12CN10N G Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων